半導體材料全球（qiú）格局

半導體材料（liào）是半導體產業鏈的（de）重要支撐產業（yè），按應用環節劃分為晶圓製造材料和封裝材料。整個半導（dǎo）體產業鏈主要包括IC的設（shè）計、晶圓製造以及（jí）封裝測試等環節，半導體材料主要應用在集（jí）成電路（lù）的製造和封裝測試（shì）等領域。集成（chéng）電路的製造和封測對材（cái）料和裝備需求巨大（dà）。從材（cái）料（liào）角度看，涉及到大矽片光刻膠（jiāo）、掩膜（mó）版、特種氣體等原材（cái）料；從裝備角度看，涉及到（dào）光刻機、刻蝕（shí）機、PVD、CVD等各種核心設備。而本文主要圍繞晶圓製造（zào）材料角度展開。
 

集成電（diàn）路產（chǎn）業鏈

半導體材料市場概覽

集成電路生產需要用到包括矽基材、CMP拋光（guāng）材料（liào）、高純試劑（用於顯影、清洗、剝離、刻蝕）、特種氣體、光（guāng）刻膠、掩膜版、封裝材料等多種電子化學品材料。根據（jù）Prismark數據，全球集成電路製造成本（běn）中，電子化學品占集成電路（lù）製造成本的比重約為20%。

 集成電路生產用晶圓製造材料（liào）
集（jí）成電路晶圓製造流程：6個獨立的生產區構成完整晶圓製造流程
（1）擴（kuò）散：進行高溫工藝和薄膜澱積的區域，將矽片徹底清洗（xǐ）並進行自然氧化；（2）光刻：對矽片進行預處理、塗膠、曝光、顯影，隨後清洗矽片再次烘幹；（3）蝕刻：用高純試劑（氫氟酸、鹽酸等）進行刻（kè）蝕，保留設計好（hǎo）的（de）圖（tú）案；（4）離子注（zhù）入：注入離子（磷、硼），高溫擴散，形成集成器件；（5）薄膜生長：進行各個步驟當中介質層和金屬層的澱積；（6）拋光：拋（pāo）光材料打磨，並再次清洗插入電極等後續處理，進行WAT測試（shì）。

 晶圓製造材料在半導體製造（zào）流程中的應用環節
全球半導體材料（liào）市場跟（gēn）隨半導體市（shì）場呈周期波動。根據SEMI數據（jù）顯示（shì），2009-2011年，受半（bàn）導體市場（chǎng）規模持續擴張影響，全球半導體材（cái）料迎來快速增長，市場（chǎng）規模由（yóu）346.4億美元提升至478.8億（yì）美元（yuán）。2012-2017年，半導體（tǐ）材料市場進入震蕩調整階段，市場規模（mó）維持在420-470億美元。2018年市場再（zài）次迎來爆發，同（tóng）比2017年提升（shēng）50億市場規模。2019年，半導體材料市場維持穩定，全球銷售額約（yuē）為521.1億美元（yuán），其中晶圓製造材料約（yuē）為328億美（měi）元，封（fēng）裝材料約為192億美元。

2008-2019年全球半導體材料市場規模
而在過去幾年，中國半導體材（cái）料（liào）市場穩步增長。
根據SEMI數據，2009-2019年，中（zhōng）國半導體材料市場（chǎng）從32.6億美元提升至86.9億美元（yuán），年均複合增長率（CAGR）達到10%。整體來看，我國半導（dǎo）體材料的國產化率仍（réng）處於較低水平，進口替代空間（jiān）大。此外，隨著國內晶圓廠的投資完成以及本土先進製程推進，國內半導體材料的市（shì）場有望持續增長（zhǎng），給本（běn）土材料廠商帶來較大的導入機會（huì）。

 2008-2019年中國半導體材料市場規模（億美（měi）元）
從半導（dǎo）體材料市場的具體（tǐ）構成來看，根據SEMI數據，大矽（guī）片占比高達38%，電子特氣與掩膜版均占比13%位（wèi）居次席（xí），其餘市場份額由光刻膠、靶材、CMP拋光材料等產（chǎn）品占據。

 2018年全球（qiú）半導體材料市場構成（chéng）

矽片：半導體材料市場的半壁（bì）江山

如上圖所（suǒ）示（shì），矽片（piàn）是半導體材料中（zhōng）最重要的（de）組成。而晶圓材料（liào）的發展曆程大致可分為三代：第一代（dài）為鍺（zhě）、矽為代表；第二代主要是砷化镓、磷化銦；第三代為氮化镓、碳化矽等。目（mù）前大部分晶圓仍以矽為（wéi）主要原料。矽晶（jīng）圓的加（jiā）工可分為矽提純、拉晶、晶棒測試、外徑研磨、切片等流程。

 矽晶圓製造過程
矽晶圓為（wéi）IC的基底，朝大尺寸方向（xiàng）發（fā）展。矽片主要使用在半導體集成電路中，用來製作矽晶圓當成（chéng）集成電路的基底。按照尺寸大（dà）小可（kě）分為6英寸、8英寸（cùn）和12英寸，尺寸越大，加工難度也越大。由於集成電路的集成度越來越高，因此對大尺寸矽片的需求量越來越大。矽片總體需求和集成電（diàn）路（lù）芯片需求（qiú）高度（dù）一致（zhì）。目前趨勢是6英寸矽片市場份額已經較（jiào）低，12英寸矽片市場需求強勁，全球範圍內保持快速增長。
全球矽晶圓朝大尺寸方向發展（zhǎn）
半（bàn）導體（tǐ）矽片（piàn）上遊材料為電子級多晶矽，德國wacker、美國hemlock、日本丸紅株式會社等境外企業占據主（zhǔ）要市場。國（guó）內鑫華半（bàn）導體、黃河水電（diàn）已實（shí）現穩定（dìng）量產電子級多晶矽，但產品多用於生產150-200mm（6英寸、8英寸）矽片，更大（dà）尺（chǐ）寸（cùn）矽片的原材料仍主要依靠進口。
半導體矽片下遊是各類電子元器件。其中200mm（8英寸）及以（yǐ）下（xià）矽片終端應用領域主要為移動通信、汽車（chē）電子、物聯（lián）網、工業電子等。300mm（12英寸）矽片需求主要來（lái）源於智（zhì）能手機、計算機、雲計算、人工智能、SSD（固態存儲硬盤）。
全球矽片出（chū）貨麵積及（jí）單位價格走勢
半導體矽片市場景（jǐng）氣與電子工（gōng）業需求深度綁定。2009年經濟危機後矽片量價齊跌，2010年由於智能手（shǒu）機放量（liàng）矽片量價增長（zhǎng）有所（suǒ）反彈。2011年至2016年，全球（qiú）經濟乏力，矽片價格（gé）持續（xù）下跌，出貨（huò）量增長主要由矽片體（tǐ）積增加所（suǒ）致，市場規模略有下降。2017年後受益於下遊計算機、移動通信（xìn）、固（gù）態硬盤、工業電子的需（xū）求上漲，矽片市場實現量價齊升。
全球矽片市場規模（mó）
全球矽片市（shì）場巨頭壟斷，中國大陸地區廠商體量較（jiào）小。
競爭格局方麵，信越（yuè）化學、住友勝高、世創、環球晶圓為全球（qiú）四（sì）家主流（liú）供應商，市（shì）場合計占比（bǐ）80%以上。中國大（dà）陸地區廠商以滬矽產業、中環股份為首，2018年滬矽產業（yè）占全球矽片市場2.18%，相比全球矽片巨（jù）頭體量尚小。
2018年全球半導體矽片競爭格（gé）局
國內（nèi）矽片廠商加速追趕，滬矽產業12寸矽片一馬當先。目前國（guó）內主要有滬矽產業、中環股份、超矽半導體、金瑞（ruì）泓等企業進入大矽片領域。
國內矽（guī）片主要企（qǐ）業產品情（qíng）況
它山之石：信越化學作為日本有機矽工業“國產技術”的典範，信越化學的成功離不開（kāi）以下（xià）幾個方麵的原因（yīn）。
強大的研發力度和研發（fā）能力，信越化學共設有7家研發中心，是研發內生增長（zhǎng）的典範。信越化學通過自行（háng）生產金屬（shǔ）矽，保障了主原料的穩定（dìng）性，確立了從原料開始的一貫（guàn）式生產體製。
國家（jiā）的（de）大力支持，日本政府在行業發展前期頗具戰略眼光，給予多種優惠政策，通產省1989年製定了160億日（rì）元的“矽類高分（fèn）子材料研究開發基本計劃”支持矽材料的研發，這一計劃為以信越化學為首的有機（jī）矽生產企（qǐ）業提供了（le）資金和技術的大力支持。

光刻膠：高壁壘，機會大

光刻膠是利用化學反（fǎn）應進行圖（tú）像轉移（yí）的媒體，將所需（xū）要的微細圖形（xíng）從掩模版轉移到待加工（gōng）基片上的圖形轉移介質。光刻膠被廣泛應用於光電信息產業的微細圖形線路的加（jiā）工製作，是微細加工（gōng）技術的（de）關鍵性材料。在光刻（kè）工（gōng）藝中，光刻膠被均勻塗布在矽片、玻璃和金屬等不同（tóng）的襯底上，經曝光、顯影和蝕刻等工序將掩膜版上的圖形轉（zhuǎn）移到薄膜上，形成與掩膜版完（wán）全對應的幾何圖形。

 光刻膠應用原理
光刻膠原材料主要為樹脂、溶劑（jì）和（hé）其他添加劑。其中溶劑質量占比（bǐ）最大，一般在80%以上。其他添加（jiā）劑質量占比雖不足5%，卻是決定光刻膠特有性質的關鍵材料，包括光敏劑、表麵活性劑等材料（liào）。光刻膠可根（gēn）據其下遊應用領域分為半導體光刻膠（jiāo）、麵板光（guāng）刻膠和PCB光刻膠三類（lèi），半導體光刻膠（jiāo）和麵板光刻膠市（shì）場規模分別為13.73億美元，15.87億美元。
 
光刻膠的發展是摩爾定律運行的（de）核心驅動力。半導體工業集成電路的尺寸（cùn）越來越小，集成度越來（lái）越高，並能夠按照摩爾定律（lǜ）向前發展，其內在驅動力就是光刻技術的不斷深入發展（zhǎn）。集成電路水平已由微米級（jí）（2μm-1μm）、亞微米級（1-0.35μm）、深亞微米級（jí）（0.35μm以下）、納米級（90-22nm）甚至進入14-7nm階段。
對光刻膠分（fèn）辨率等性能要求不斷提高，光刻技術隨著集成電路的發展經曆了從（cóng）G線（436nm）光刻，H線（405nm）光刻，I線（365nm）光刻，到深紫外線DUV光刻（KrF248nm和ArF193nm）、193nm浸沒式加（jiā）多重成像技術（32nm-7nm），在（zài）到極（jí）端（duān）紫外線（EUV， ＜13.5nm）光刻（kè）的發展，甚至采用非光學光刻（電子束曝光、離子束曝（pù）光），以相應波長為感光波長的各（gè）類光刻膠也應用而生。目前，KrF/ArF仍是主流的加工材（cái）料。
集成電路光刻膠產（chǎn）品技術（shù）路線演化
半導體光刻膠可根（gēn）據加工芯片的製（zhì）程從（cóng）大到小分為g線（xiàn）/i線光（guāng）刻膠、Krf光（guāng）刻膠、Arf光刻膠（幹法及濕法）和EUV光刻膠。各類光刻膠中雖（suī）然各（gè）組分含量存在差異，但樹脂含量一般在 20%以下，總體來適用波（bō）長越短的（de）光刻（kè）膠，其樹脂含量（liàng）越低，溶（róng）劑含量越高。
半（bàn）導體用光刻膠應用製程及組分
銷售（shòu）量方麵，g線/i線光刻膠是半導體用光刻膠需求主要構成，占比達50%以上，預計2022年需求量將達450立（lì）方米以上，KrF、ArF光刻膠2022年需（xū）求量預計分（fèn）別為200.77立方米和103.56立方米。銷售額方麵，ArF光刻膠（jiāo）由於技術附加（jiā）值高，價格昂貴，占據最（zuì）大銷售份額。

 全球半導體用光刻膠（jiāo）銷售額（é）（億美元）
根據富士經濟數據，預計2022年ArF銷售（shòu）額將達6.74億美元，g線/i線光刻膠和KrF光刻膠銷售（shòu）額預計可達3.80億美元和3.88億美元。EUV、光刻技（jì）術（shù）目前尚未普及，僅台積電和三星掌握，EUV光刻膠市場規模較（jiào）小。

 2018年（nián）全球g線/i線（xiàn）光刻膠競爭格局
日本企業在半導體光刻膠（jiāo）領（lǐng）域占據絕對優勢（shì）。半導體光刻膠（jiāo）主要生產企業包（bāo）括日本東京應化、JSR、住友化學、信越（yuè）化學（xué）；韓國東進世美肯；美國陶氏杜邦，其中（zhōng）日本（běn）企業占據約70%市場份額。分產品看，東京應化（huà）在g線/i線和Krf光刻膠領域居龍頭地位，市場份額分別達到27.5%和32.7%。JSR在Arf光刻膠領域市占率最（zuì）高，為25.6%。
2018年全球Krf光刻膠競爭格局
2018年全球Arf線光（guāng）刻膠（jiāo）競爭格局
借鑒日本電子化學品企業TOK發展曆程，其於1979年涉足光刻膠化學品領域，起初為負性光（guāng）刻膠的銷售， 2000年（nián）將TOK半導體成（chéng）像技術增強型集成光刻膠係統商業化，2009年開始生產ArF，以響（xiǎng）應ArF光刻膠需求。在技術積累完成後，TOK采取了外延式布局的策略，將市場滲（shèn）透到中國台灣、韓國等地區，其（qí）光刻膠業務實現快速增長。
綜合上述分析（xī），光刻膠等技術壁（bì）壘（lěi）極高（gāo）的（de）行業，實現技術層麵的突破是基礎、其次，需不斷改進（jìn）工藝（yì），滿足半導體行（háng）業快速發展的需（xū）要。由（yóu）於光刻膠等行業認證時（shí）間較長，客戶不會輕（qīng）易更換供應商，因此進入主流供應鏈是極其必要的。國（guó）內光刻膠生產商未來有望把握中國半導體行業進口替代契機，實現快速發展。

電子特氣：國產替代程（chéng）度相（xiàng）對較高

電子特種氣體種類繁多，是電子工業重要的原材料之一。電子特氣是（shì）指用於半導體（tǐ）及相關電子產品生產的特種氣體，其按不同的（de）應用（yòng）途徑可以分為摻雜用氣體、外延用氣體、離子（zǐ）注入氣、發光二極管用氣、刻蝕用氣體、化學氣（qì）相沉積氣和平衡氣等。在半導體工業中應用的有110餘種單元特種氣體，其中（zhōng）常（cháng）用的有超過30種（zhǒng）。

 電（diàn）子特（tè）氣分類介紹
集成電（diàn）路、新型顯示是電子特種氣（qì）體主要應用領域。半導體生（shēng）產中幾乎每個環（huán）節都要用（yòng）到電子特氣，因（yīn）此被稱為半導體製造的“血液”和“糧食”。電子特氣的純度直接決定了產品的性能、集成（chéng）度和成品率。電子（zǐ）特氣純度每提高一個數量級，都（dōu）能推動半導體器件產生質的飛（fēi）躍。

 IC製造各環節所需電子特氣介紹（shào）
電子特（tè）氣的純（chún）度對半導體及相關電（diàn）子產品的生產（chǎn）至關（guān）重要。電子特氣中水汽、氧等雜（zá）質組分易使半導體表麵形成氧化膜（mó），影響電子器件（jiàn）的壽命（mìng），含有的顆粒雜質會造成半導體短路及線路（lù）損壞，改變半導體的性能。半導體工業的發展對產品的生產（chǎn）精度要求越來越（yuè）高。以集成電路製造為例（lì），其（qí）電路線寬（kuān）已經從最初的毫米級，到微米級甚至納米級，對應用於半導（dǎo）體生產的電子（zǐ）特氣純度亦提出了更高的要求（qiú）。

 不同線寬下對（duì）應特氣所（suǒ）含顆粒雜質要求
電子特氣（qì）廠商外購初級氣體原材料（liào）後通過（guò）合成、純化、混配、氣瓶處理（lǐ）、充裝、檢測等一係列處理後製成特氣產品。由於特氣原材料具有同質性，在市（shì）場上較易取得，特氣企（qǐ）業對供應商的議（yì）價能力較強，但受市場供需、經濟周期（qī）等因（yīn）素影響也要（yào）承擔一定價格（gé）波動風險。

 電子特氣產業鏈
電子特氣（qì）是僅次於大矽片的第二大晶圓製造材料（liào）。2016-2018年，全球用於晶圓製造的電子特氣市場保持10%左右增速，2018年規模達42.5億美元，占晶圓製造材料市場的12.85%。國內電子特氣市場增速高於（yú）全球，2018年用於晶圓製造的電子特氣市場規模約72.98億元（10.81億美元）。
與傳統大宗氣（qì）體相比，電子氣體行業技術（shù）壁壘高，市場集（jí）中度高。2018年全球半導體用電（diàn）子（zǐ）氣體市場中，空氣化工、普萊克斯、林德集團（tuán）、液化空氣（qì）和大陽日酸等五大公司控製（zhì）著全球90%以上的市場份額，形成（chéng）寡頭壟斷的局麵。在國（guó）內市場，境外幾大氣體巨頭（tóu）控製了80%的市場份（fèn）額。
2018年全球電子特氣競爭格局

CMP 拋光材料：高技術壁壘，高毛利

拋光液和拋光（guāng）墊是CMP拋光工藝（yì）的關鍵材料。CMP拋光即化學機械拋光，主要應用於藍寶石拋光和集成電（diàn）路中的矽（guī）晶片拋（pāo）光，是指（zhǐ）化學作用和物理作用同時發生的（de）一種新技術，可以避免由單純（chún）機械拋光造成的表麵損傷和由單純（chún）化學（xué）拋光（guāng）造（zào）成的（de）拋光速度慢、表麵平整度和拋光一致性差等缺點。
CMP拋光是（shì）目前唯一可以提供矽片全局平麵化的技術。拋光機、拋光液和拋（pāo）光墊是CMP工藝的三大關鍵（jiàn）要素，由於工藝製程和技術節點不同，每（měi）片晶圓在（zài）生產過程中都（dōu）會經曆幾道甚至幾十道CMP拋光工藝，7nm以下邏輯芯片中CMP拋光步驟達到三十步，使用拋光液種類近三十種。
拋光液和（hé）拋光墊是易（yì）耗品。CMP的工作原（yuán）理為將矽片（piàn）放（fàng）置在拋光墊上，在拋光液（含有納米級（jí）SiO2、Al2O3等粒子）的存（cún）在下，不斷旋轉，通過粒子的機械研磨和材料的化學反應（yīng）同時進行，對材料表麵進行平整。拋光墊通常由多孔性（xìng）材料組成，表麵（miàn）有特殊溝槽，從而提高拋（pāo）光的均勻性，通常拋光墊使用壽命為45至75小時。拋光墊和拋（pāo）光液是CMP技（jì）術中（zhōng）兩（liǎng）種關（guān）鍵材料，根據安集科技（jì）招股書數（shù）據，兩者成本合計占拋光材料總成（chéng）本（běn）的82%。
2016-2018全球CMP拋光材料規模（億美元）
全球拋光材料市場持續高速增長，2001-2018年，全球拋光材料市（shì）場規模複合增速達10.13%。根據卡博（bó）特官網（wǎng）公開披露數據，2018年全球拋光材料市場（chǎng）達20.1億美元（yuán），其中拋（pāo）光墊（diàn）市場為12.7億美（měi）元，拋光液市（shì）場為7.4億美元（yuán）。預計2022年全球拋光材料市場將達（dá）26.1億（yì）美元。
其（qí）中，拋光墊是一種具有一（yī）定彈性且疏鬆多孔的材料，一般（bān）由含有填充材料的聚氨酯構成。拋（pāo）光墊根據溝槽結（jié）構形式不同分為四個（gè）類別，每種結（jié）構的應用領域各有不同。
拋光墊（diàn）上遊（yóu）原料為聚氨酯等基礎化工（gōng）原料，不同拋光墊生產企業根據擁有的專利不同而選擇不同的拋光材料。例如羅門哈斯專注於使用多羥基化合物、多胺、羥基胺等（děng）高分子材料設計（jì）和（hé）生產拋光墊，東麗側重於用尼龍纖維和聚合樹脂等材料生產拋光墊，東陽橡膠則主要關注軟質、硬質聚氨酯。我國拋光墊龍頭企業鼎龍股份生產拋光墊的主要原材料也是聚氨酯，包（bāo）括聚氨酯彈性（xìng）體和聚氨酯發泡體等。

拋光墊產業鏈
拋光墊技術壁壘高，認證時間長。拋光墊主要包括（kuò）聚（jù）氨酯（zhǐ）拋（pāo）光墊（diàn）、無紡布拋光墊、複（fù）合型拋光（guāng）墊等幾種類型產品。由於CMP拋光（guāng）墊在（zài）設計（jì）和使用壽命方麵不（bú）斷改進，技術壁壘極高；
另外，新品測試的流（liú）程複雜，認證時間長達1-2年，晶圓廠商（shāng）為保（bǎo）證（zhèng）有序（xù）穩定生產，不（bú）輕易更（gèng）換供應商。目前拋光墊幾乎完全依賴（lài）進口，市場由美國陶氏化學（xué）（約80%市場份額）、美國卡博特、日本東麗等公司壟斷，產（chǎn）品毛利（lì）率在50%以上。我國在拋光墊領域起步較晚（wǎn），2006年後專利申請數量開（kāi）始出現顯著增長，占全球比重逐年上升，追趕勢頭迅猛。
2019年全球拋（pāo）光墊競爭格局（jú）
至於（yú）CMP拋光液，則是一種由研磨顆粒（lì）（如納米SiO2、Al2O3粒子等）、表麵活性（xìng）劑、穩定劑、氧化劑等組成的產品。研磨顆粒提供研磨作用，化（huà）學氧化劑（jì）提供腐（fǔ）蝕（shí）溶解作用。按照研磨顆粒不同，CMP拋光液可分為二氧化（huà）矽拋光液、氧化（huà）鈰拋光液、氧化鋁拋（pāo）光液和納米金剛石拋光液等幾大類，其中研磨顆粒為最主要原材料。
 拋光液產業（yè）鏈
隨著芯片製程不斷精細，對拋光液（yè）需求逐漸（jiàn）增加。根據卡博特微（wēi）電子，當邏輯芯片製程達到5nm時，約25%-30%生產步驟（zhòu）都要用到拋光液。存儲芯片由2D NAND升級到3D NAND後由於結構更複雜，拋光（guāng）次數增加，且約50%生產步驟需要用到拋光液。技術進步疊加芯片製程精細度提高，將為拋光液需求打開廣闊空間。

 2017年拋光液市場份額占比
拋光液市場（chǎng）被境外巨頭壟斷，卡博特微電子、陶氏杜邦、VSM、日本日立、富（fù）士美CR5共占據了約78%的（de）市場份（fèn）額。其中卡博特微電子占比最高達到36%。2019年，卡博特微電子拋光（guāng）液收入（rù）4.6億美元，占公司總收入的44.3%。分區域看，2019年公司在中國收入不足10%（2018年為9725.4萬美元，占公司收入16.48%）。國內廠商由於缺乏獨立自主知（zhī）識產權和品牌，龐大的國內半導（dǎo）體市場完全被外（wài）資產品占據。根據《2018年中（zhōng）國市場CMP拋光液發（fā）展研究報告（gào）》統計，2017年我國CMP拋（pāo）光液（yè）消（xiāo）費量達（dá）2137萬（wàn）升，預計2025年將達9653萬升，其中超過65.7%來（lái）源於境外廠。

高純濕電子化學品（pǐn）：種類繁多，應用（yòng）廣泛

超淨（jìng）高純試劑（jì）是集成電路製造的關鍵性配套材（cái）料之一。超淨高純試劑又稱工藝化學品，是指主體成分純度高於99.99%，雜質離子（zǐ）的微粒數符合嚴格要求的化學試劑，是大規模集成電（diàn）路和超大規模集（jí）成電路（lù）製造的關鍵性配套材料，主要用於芯片的清洗、蝕刻等製造領域，其成（chéng）本約占集成電路（IC）材料成本的（de）7%左右。

 濕電子化學品分類
高純濕電子化學品分（fèn）為通用性濕（shī）電子化學品和功能性濕電子化學品兩大類。其中通用濕（shī）電子化學品是指在集成（chéng）電（diàn）路、液晶顯示（shì）器、太陽能（néng）電池製造工藝中通用的濕電子化學（xué）品，包括酸、堿、有機溶劑、其（qí）他（tā）四個子類；功（gōng）能濕電子化學品是指須通過複配手段達到特殊功能、滿足製造中特殊工藝需求的配方類或複配類化學品，主要包括顯影（yǐng）液、剝離液、清洗液、蝕刻液等。
濕電子化學品上遊是硫酸、氨（ān）水等粗化工品，下遊主要用於生產半（bàn）導體、麵板和太陽能電池。三個應用場景對產品的純度等級要求有所不同，太陽能電池領域（yù）對純度要求相對較（jiào）低（dī），僅需達到G1、G2等級。顯示麵板領域一（yī）般要求達到G2、G3等級。半導體中分立（lì）器件（jiàn）對超淨高純試（shì）劑等級要（yào）求相對較低（dī），基本集中在G2級；集成電路用超淨高純試劑的純度要求最高，中低端領域（8英寸及以下晶圓（yuán）製程）要求達到G3、G4 水平，部分高端領域（yù）（大（dà）矽片、12 英寸晶圓製程）要求達到G5等級（10ppt）。
濕（shī）電子化學品產業鏈
在半導體領域，半導體用濕電子化學品質量要求最高。使用較多的濕電子化學品（pǐn）包括（kuò）硫酸、雙氧（yǎng）水等。2014-2018年，我（wǒ）國計算機、消費電子、通信等產業規模持（chí）續增長，大大拉動了對集成電路的需求，半導體行業濕電子化學品需求量隨之（zhī）增長，根據中國電子材料行業協會數據，2020年半導體用濕電子化學化（huà）學品需求量將達45萬噸。
2018年半導體用濕電子（zǐ）化學品用量結構
三大集團占（zhàn）據高純濕（shī）電子化學品市場主要份額。第一塊市場份額由歐美傳統老牌企業的濕電（diàn）子化學品產品（包括它們在亞洲開設工廠所（suǒ）創的銷售額）所（suǒ）占領，其市場份額約為35%，主要企業有德國（guó）巴斯夫公司、美國亞什蘭集（jí）團（tuán）、美國奧麒化學品公（gōng）司、美國霍尼韋爾公司等。第二塊約28%的市場份額由日本的十（shí）家左右生產（chǎn）企業所擁有，包括關東化學公司、三菱化學、京都（dōu）化工、日本合成橡膠（jiāo）、住友化學、和光純藥工業等。第三塊市場份額主（zhǔ）要是中國台灣、韓（hán）國、中國大陸企業（即內資企業）生產的濕法電子化學品所占，三者合計占有（yǒu）全球市場（chǎng）份額的35%。
2017年全球濕電子化學品（pǐn）競爭格局
它山（shān）之石：回顧境外化學試劑行（háng）業發達國家企業的經營模式，發展大致可分為三個階段。
第一階段，企業選擇自主經營實現自產自銷，隨著品（pǐn）類及客戶擴大，企業難以滿足客戶的全部試劑需求，行業（yè）普遍采用自產和分工合作相結合的生產（chǎn）方式。
第二階段，各企業逐（zhú）漸在（zài）特定領域擴大種類和技術領先優（yōu）勢（shì），同時客戶對產品（pǐn）的規格和（hé）品質要求越來（lái）越（yuè）高，企業逐漸向配套設（shè）備、配套試劑和（hé）配套服務的方向發展。
第三階（jiē）段，國（guó）際化學試劑大型企業憑借其研（yán）發能力（lì）、營（yíng）銷網絡和資金實力，競爭優勢明顯，行業呈現出結盟合作、重組兼（jiān）並的格局，市場集中度快速（sù）提升（shēng），如Sigma與Aldrich的聯合，Honeywell收（shōu）購了Burdick&Jackson 公司，通過（guò）集團化合並聯合經營的方式形成合（hé）力，進一步（bù）擴大市場份（fèn）額。

靶材：製備薄膜材料的關鍵原料（liào）

濺射靶材是製備薄膜（mó）材料的（de）關鍵原料。濺射（shè）過程需使用（yòng）離子轟擊固體表麵（miàn），使（shǐ）靶材中金屬原子以一定能量逸出並在晶圓或其他材料表麵沉積，形成一層薄膜以實現導電、保護等功能，被轟擊的固體即為濺射靶材。

 濺射靶材分類
濺射靶材（cái）的種類較多，即使相同材質的濺射靶材也有不同的規格。以化學成分分類，包（bāo）括應用於製作導電層具有良好導電性（xìng）能銅、鋁、ITO、ZAO；鉭、鈦等靶材用於製作阻擋層，保護導（dǎo）電層不受侵蝕和氧（yǎng）化（huà）。鎳鉑合金（jīn）、鎢鈦合金、鈷靶材用於製作接觸（chù）層，與矽層生成薄膜提供與外（wài）部（bù）連接的接點。目前芯片製（zhì）造工藝在180-130nm之間主要用鋁及鋁合金靶材（cái）作（zuò）為導電層，90-65 nm主要應用銅靶材。
45-28nm主要使用純銅鋁和銅錳合金靶材。當（dāng）芯片（piàn）製程在20nm以下，尤其是（shì）小於7nm時，鈷靶材（cái）在填滿能力、抗（kàng）阻力和可靠（kào）度三方麵優勢明顯。
靶材上遊是各類高純金屬，主要由霍尼韋爾、三菱材料、世泰科等境外（wài）企業供應。國內方鉭業有一定高純鉭供應能力，2014-2016年躋身於江豐電（diàn）子（zǐ）前五大供應商。靶材下遊是集成電路、麵板、光伏電池和磁記錄行業，不同領域對靶材純度的要求不同，光伏和磁記錄（lù）要求靶材純度為4N（99.99%）,麵板領域為5N（99.999%）,集成（chéng）電路領域為5.5N和（hé）6N（99.9995%和99.9999%）

 靶材產業鏈
全球靶材市場呈現寡頭競爭格（gé）局，日礦金屬、霍尼韋（wéi）爾、東曹和普萊克斯四家企業占據80%市場份額。國（guó）內企業中阿石創、隆華科（kē）技、有（yǒu）研新材和江豐電子（zǐ）靶材生產體量較大。其中阿石創（chuàng）、隆華（huá）科技產（chǎn）品主要（yào）用於麵板（bǎn）、觸控。江豐電子產（chǎn）品在半導體、太陽能光伏和麵板領域均有覆蓋，有研新材主要生產半導體靶材。
阿石創：阿石（shí）創在（zài）麵板領域主要生產鉬、鋁、銅、鈦及ITO靶材，產品除（chú）麵板、觸控外還應用於光學器件、太陽（yáng）能光伏和汽車/建築（zhù）玻璃鍍膜等領域。開拓了（le）華星光電、彩虹光電、中電熊貓等客戶。
隆（lóng）華科技：隆華科技通過收（shōu）購四豐電子切入鉬靶材領域，相關產品在麵（miàn）板領域認可度較高（gāo），客戶包括三星、LG、京東方、華星光電等知名公司；通過收購廣西晶聯切入ITO靶材行業，目前（qián）已實現G8.5代產品穩定供貨，首套G10.5產品於今年（nián）6月交付。公司目前總共擁有（yǒu）鉬靶材產能500噸（dūn）/年，ITO靶材產能70噸/年。
江豐（fēng）電子（zǐ）：江豐電子是國內最大半導體芯片用靶材生產商，目前已可量產用於90-7nm半導體芯片（piàn）的鉭、銅、鈦、鋁靶材，其中鉭靶（bǎ）材在（zài）台（tái）積電7nm芯片中已量（liàng）產，5nm技術節點產品也（yě）已進入驗（yàn）證階段。公司客戶包括中芯（xīn）國際、台積電、格羅方德等知（zhī）名半導體（tǐ）生產廠商（shāng）。
有研新材：有研新（xīn）材半導體用（yòng）8-12英寸鋁、鈦、銅、鈷、鉭（tǎn）靶材已通過客戶驗證並批量供（gòng）貨，客戶覆蓋中芯國（guó）際、大連intel、台積電、聯電、北方（fāng）華創等芯片製造和設（shè）備企業。截止2019年底尚有（yǒu）驗證階段產品100餘種。
阿石創：阿石創（chuàng）在麵板領域主要（yào）生產鉬、鋁、銅、鈦及ITO靶材，產品除麵板、觸（chù）控（kòng）外還應用於光（guāng）學器件、太陽（yáng）能光伏和汽車/建築玻璃鍍膜等領域。開拓了華星光電、彩虹光（guāng）電（diàn）、中電熊（xióng）貓等客戶。
隆華科技：隆華科（kē）技通過收購（gòu）四豐電子切入鉬靶材領域，相關產品在麵板領域認可度較高，客戶包括三星、LG、京東方、華星光電等知（zhī）名公司；通過收購廣西晶聯切入ITO靶材行業，目前已實（shí）現G8.5代產品穩定供貨，首套G10.5產品於今年6月交付。公司目前總共（gòng）擁有鉬（mù）靶（bǎ）材（cái）產能500噸/年，ITO靶材產（chǎn）能70噸/年。
江豐電子：江（jiāng）豐電子是（shì）國內最大半導體芯片用靶（bǎ）材（cái）生產商，目前已可量產用於90-7nm半導體芯片的鉭、銅、鈦、鋁（lǚ）靶材，其（qí）中鉭靶材在台積電7nm芯（xīn）片中已量產，5nm技術節點（diǎn）產品也已進（jìn）入驗（yàn）證（zhèng）階（jiē）段。公司客（kè）戶包括中芯國際、台積電、格羅方德等知名半導體生產廠商（shāng）。
有研新（xīn）材：有研新材半導體用8-12英寸鋁、鈦、銅、鈷、鉭靶材（cái）已通過（guò）客戶驗（yàn）證並批量供貨，客戶覆（fù）蓋中（zhōng）芯國（guó）際（jì）、大連intel、台積電、聯電、北（běi）方華創等（děng）芯片製造和設備企業。截止2019年底尚有驗證（zhèng）階段產品100餘種。